:::首頁 技術交易市集 技術交易市集單筆檢視 字級 大 中 小 技術交易市集單筆檢視 應用於n型氮化鎵功率元件的自舉式電容電壓補償方法 索取更多資訊 無障礙增加內容 無障礙增加內容 電子與光電 技術/專利摘要表 附加圖片 摘要 一種應用於n型氮化鎵功率元件的自舉式電容電壓補償方法，該n型氮化鎵功率元件包括一氮化鎵高電子遷移率晶體管，該氮化鎵高電子遷移率晶體管係電性連接一第一電阻，該第一電阻係電性連接一雙採樣和保持電路，該雙採樣和保持電路係電性連接一誤差放大器，該誤差放大器係電性連接一位準調整器，該位準調整器電性連接一電流模式邏輯電路，該電流模式邏輯電路電性連接一高速電流源驅動級，其中該自舉式電容電壓補償方法包含下列步驟:(a)當上橋開啟時，一切換點電壓上抬，使得上橋之該氮化鎵高電子遷移率晶體管的閘極與源極電壓為高電壓區間；(b)利用該第一電阻做降壓，讓上橋之該氮化鎵高電子遷移率晶體管的閘極與源極之感測電壓訊號為低電壓區間，以便做閉迴路控制；(c)利用該雙採樣和保持電路對感測電壓做訊號取樣，得到一電壓取樣訊號；(d)將上橋之該氮化鎵高電子遷移率晶體管的閘極與源極之該電壓取樣訊號做精準地差值輸出，得到上橋之該氮化鎵高電子遷移率晶體管的一驅動電壓值；(e)經過該誤差放大器與參考電壓做比較，得到輸出的DC電壓值經過該位準調整器調控輸出電壓，進而決定該高速電流源驅動級所提供的電流大小，用以調節自舉式電容電壓。 資料類別 專利 資料編號 S11405C0003 發明人 所有人 國家中山科學研究院 所有人屬性 研究機構 技術成熟度 實驗室階段 上架日期 2025/05/13 交易方式 專利_非專屬授權, 刊登有效日期 2027/05/13 相關網站 專利保護情形 專利保護狀態 已獲證 申請國 中華民國 專利類別 發明(TW,CN)／特許(JP)／Utility(US) 申請號 112145458 申請日期 2023/11/22 公告號 I870121 公告日期 2025/01/11 專利權起算日 2025/01/11 專利權屆滿日 2043/11/21 您可能感興趣的技術 登入TWTM會員獲得更多資訊