:::首頁 技術交易市集 技術交易市集單筆檢視 字級 大 中 小 技術交易市集單筆檢視 氮化鎵高電子遷移率電晶體之場版改良結構 索取更多資訊 無障礙增加內容 無障礙增加內容 電子與光電 技術/專利摘要表 附加圖片 摘要 一種氮化鎵高電子遷移率電晶體之場版改良結構，其包括:一磊晶結構；三電極，其包括一源極、一閘極及一汲極係設置於該磊晶結構上，其中該磊晶結構於對應該汲極處形成一垂直方向之缺口；一雙層鈍化層，其包括L形之一低介電常數之鈍化層及L形之一高介電常數之鈍化層，並設置於該垂直方向之缺口，以及一垂直場板，其以垂直方向設置於該雙層鈍化層上。 資料類別 專利 資料編號 S11405C0002 發明人 所有人 國家中山科學研究院 所有人屬性 研究機構 技術成熟度 實驗室階段 上架日期 2025/05/13 交易方式 專利_非專屬授權, 刊登有效日期 2027/05/13 相關網站 專利保護情形 專利保護狀態 已獲證 申請國 中華民國 專利類別 發明(TW,CN)／特許(JP)／Utility(US) 申請號 112140958 申請日期 2023/10/24 公告號 I869004 公告日期 2025/01/01 專利權起算日 2025/01/01 專利權屆滿日 2043/10/23 您可能感興趣的技術 登入TWTM會員獲得更多資訊