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超快速光記憶體元件與人工神經網絡之應用

材料化工與奈米

技術/專利摘要表

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超快速光記憶體元件與人工神經網絡之應用IMG
摘要
光感測器是物聯網的核心元件,然而大多數只能提供暫態光電流。陳蓉瑶副教授團隊開發的超快速光記憶體具有0.7 ms的光寫入時間,1.91×10^4 mA W^-1的光響應性,以及128階層的記憶功能。此光記憶體結合氫氣變色薄膜,能夠記錄氫氣洩漏週期和濃度,有助於判斷管線洩漏位置,進而改善氣體洩漏情況。
資料類別
技術
資料編號
S11401T0312
發明人
所有人
National Cheng Kung University(國立成功大學)
所有人屬性
學術機構
技術成熟度
試量產
上架日期
2025/01/24
交易方式
自行洽談,
刊登有效日期
2027/01/24
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