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半導體埃米級表面平滑技術:微波化學機械拋光

材料化工與奈米

技術/專利摘要表

附加圖片
半導體埃米級表面平滑技術:微波化學機械拋光IMG
摘要
碳化矽具顯著高能隙優勢,成為淨零排放科技的首選材料。然其高硬度與強化惰性使表面拋光成為製程瓶頸,現有技術面臨低移除率、高成本及環境污染問題。微波創新技術則無需添加重金屬或催化劑,乃在固-液界面激發電子實現潔淨氧化還原反應,將表面轉為易拋氧化物,提升拋光效率,具推動半導體製造業朝經濟、高效、環保發展。
資料類別
技術
資料編號
S11401T0300
發明人
所有人
National Central University(國立中央大學)
所有人屬性
學術機構
技術成熟度
雛型
上架日期
2025/01/24
交易方式
自行洽談,
刊登有效日期
2027/01/24
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