摘要
本發明係關於一種高效率量子點發光二極體及其製造方法，高效率量子點發光二極體包含第一電極，第一電極上依序設置電洞注入層，電洞傳輸層，量子點發光層，電子傳輸層以及第二電極，其中該量子點發光層係包含主體材料與高分子材料；製造方法包含：將電洞注入層、電洞傳輸層、量子點發光層以及電子傳輸層依序塗佈於第一電極上，最後於電子傳輸層上設製第二電極；本案之高效率量子點發光二極體，係於量子點發光層中加入高分子材料，以提高量子點發光層的表面平滑度，且降低量子點光子的衰退速率，進而提高量子點發光二極體的發光效率。
技術成熟度
實驗室階段
上架日期
2024/01/04
交易方式
技術授權,專利_專屬授權,專利_非專屬授權,合作開發,
刊登有效日期
2028/01/04
專利類別
發明(TW,CN)／特許(JP)／Utility(US)
申請號
109112012
申請日期
2020/04/09
公告號
I742602
公告日期
2021/10/11
專利權起算日
2021/10/11
專利權屆滿日
2040/04/08