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量子點發光二極體及其製造方法

電子與光電 光電半導體技術

技術/專利摘要表

附加圖片
摘要
本案係關於一種量子點發光二極體及其製造方法,量子點發光二極體,包含第一電極,第一電極上依序設置,一電洞注入層,一電洞傳輸層,一量子點發光層,一電子傳輸層以及一第二電極,其中該電洞傳輸層係包含一主體材料與一熱活化延遲螢光材料;製造方法包含:將電洞注入層、電洞傳輸層、量子點發光層以及電子傳輸層依序塗佈於第一電極上,最後於電子傳輸層上設製第二電極;本案之量子點發光二極體,係將熱活化延遲螢光材料添加於電洞傳輸層中,可降低驅動電壓、提升量子點發光二極體的亮度以及發光效率。
資料類別
專利
資料編號
S11301E0111
發明人
所有人
崑山科技大學
所有人屬性
學術機構
技術成熟度
概念
上架日期
2024/01/04
交易方式
技術授權,專利_專屬授權,專利_非專屬授權,合作開發,
刊登有效日期
2028/01/04
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專利保護情形

專利保護狀態
已獲證
申請國
中華民國
專利類別
發明(TW,CN)/特許(JP)/Utility(US)
申請號
108133641
申請日期
2019/09/18
公告號
I740209
公告日期
2021/09/21
專利權起算日
2021/09/21
專利權屆滿日
2039/09/17


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