:::首頁 技術交易市集 技術交易市集單筆檢視 字級 大 中 小 技術交易市集單筆檢視 磁阻式隨機存取記憶體(MRAM) 索取更多資訊 無障礙增加內容 無障礙增加內容 電子與光電 光電半導體技術 奈米電子技術 技術/專利摘要表 附加圖片 摘要 ◆突破現有非揮發性記憶體的限制，配合先進晶圓製程，嵌入式記憶體需求 ◆已完成第二代STT MRAM 以及最先進之第三代 SOT MRAM 技術開發 ◆國內唯一磁性記憶體驗證試量產平台與生態系，提供廠商切入此技術核心，降低被國際大廠之箝制 資料類別 技術 資料編號 S11204I0046 發明人 所有人 Industrial Technology Research Institute(工業技術研究院) 所有人屬性 研究機構 技術成熟度 試量產 上架日期 2023/04/10 交易方式 專利_專屬授權,專利_非專屬授權,合作開發,自行洽談, 刊登有效日期 2025/04/13 相關網站 您可能感興趣的技術 登入TWTM會員獲得更多資訊