無線通訊技術
電子與光電
光電半導體技術
奈米電子技術
技術/專利摘要表
摘要
◆發展GaN基底的高電子遷移率電晶體之核心磊晶與元件技術，包含新型基板與緩衝層的開發、磊晶層的應力與翹曲管理、高電導率磊晶技術及功率元件製造技術
所有人
Industrial Technology Research Institute(工業技術研究院)
所有人屬性
研究機構
技術成熟度
試量產
上架日期
2023/04/10
交易方式
專利_專屬授權,專利_非專屬授權,合作開發,自行洽談,
刊登有效日期
2025/04/13