無線通訊技術
電子與光電
光電半導體技術
奈米電子技術
技術/專利摘要表
摘要
氮化鎵高電子遷移率電晶體（GaN HEMT）具優異之高頻特性，極適合5G射頻放大器要求高功率、高效率與耐熱之嚴苛挑戰下，維持優異的效能和穩定度
所有人
Industrial Technology Research Institute(工業技術研究院)
所有人屬性
研究機構
技術成熟度
試量產
上架日期
2023/04/10
交易方式
專利_專屬授權,專利_非專屬授權,合作開發,自行洽談,
刊登有效日期
2025/04/13