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鐵電記憶體內運算(FRAM)

電子與光電 光電半導體技術 奈米電子技術

技術/專利摘要表

附加圖片
鐵電記憶體內運算(FRAM)IMG
摘要
◆ 隨著攜帶式電子產品的普及化,低功耗記憶體元件漸漸受到重視, 隨機存取記憶體技術中,鐵電記憶體的寫入能量是最有優勢 (<2 mJoule).
資料類別
技術
資料編號
S11204I0040
發明人
所有人
Industrial Technology Research Institute(工業技術研究院)
所有人屬性
研究機構
技術成熟度
試量產
上架日期
2023/04/10
交易方式
專利_專屬授權,專利_非專屬授權,合作開發,自行洽談,
刊登有效日期
2025/04/13
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