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超低電壓晶片技術

電子與光電 光電半導體技術 奈米電子技術

技術/專利摘要表

附加圖片
超低電壓晶片技術IMG
摘要
◆工研院開發的超低電壓晶片技術包含完整的設計流程和方法,以及多項低電壓低功耗電路模組,並在高效率抗變異設計、熱電低電壓啟動(LVS)、混和式Mesh時脈結構等層面有創新進展 ◆同時開發出具最大功率點追蹤功能之能源轉換晶片技術,在常溫下僅利用人體體溫與周遭環境溫度的微小差距,即可擷取能量並轉換為電能。
資料類別
技術
資料編號
S11204I0036
發明人
所有人
Industrial Technology Research Institute(工業技術研究院)
所有人屬性
研究機構
技術成熟度
試量產
上架日期
2023/04/10
交易方式
專利_專屬授權,專利_非專屬授權,合作開發,自行洽談,
刊登有效日期
2025/04/13
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