摘要
◆將薄化之細線寬距中介層，藉無凸塊互連整合於現行 IC 載板，形成創新 IC 異質整合載板架構 EIC（Embedded-interposer-carrier substrate）
◆下世代高階 2.5D 或 3DIC 模組薄化與可靠性提升
◆製程峰溫可降至 250℃ 以下
◆整體封裝架構減少 2.5D 封裝厚度 50％ 以上，並達成線寬／線距 2μm／2μm 目標
所有人
Industrial Technology Research Institute(工業技術研究院)
所有人屬性
研究機構
技術成熟度
試量產
上架日期
2023/04/10
交易方式
專利_專屬授權,專利_非專屬授權,合作開發,自行洽談,
刊登有效日期
2025/04/13