摘要
具主被動元件整合電路之功能型RDL技術，可提高系統級IC封裝之整合度
面板級主動元件:
設計LTPS-TFT組成的靜電防護電路並導入薄膜元件整合電鍍銅導線技術，達到靜電放電電流 ≧0.2A與靜電放電速度≦ 3 ns之防護效果
面板級被動元件:
設計薄膜元件組成的RF濾波器，並導入高深寬比銅導線技術，通帶頻率為3.3~4.2GHz，插入損失約2.7dB，元件尺寸為0.85mm (W) × 0.5mm (L) × 0.15mm (H)
所有人
Industrial Technology Research Institute(工業技術研究院)
所有人屬性
研究機構
技術成熟度
試量產
上架日期
2023/04/10
交易方式
專利_專屬授權,專利_非專屬授權,合作開發,自行洽談,
刊登有效日期
2025/04/13