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低介電材料與其形成方法

材料化工與奈米

技術/專利摘要表

附加圖片
摘要
此處提供低介電材料的形成方法,包括:提供多個核殼粒子,核殼粒子的核心具有低熔點的第一陶瓷,且核殼粒子的殼層具有低熔點且低介電常數的第二陶瓷。燒結核殼粒子,使其成型為低介電材料,其中核殼粒子的殼層相連成微晶相的網狀結構。
資料類別
專利
資料編號
S11108K0062
發明人
所有人
Industrial Technology Research Institute(工業技術研究院)
所有人屬性
研究機構
技術成熟度
試量產
上架日期
2022/08/15
交易方式
技術授權,專利_讓售,專利_非專屬授權,合作開發,自行洽談,
刊登有效日期
2024/08/14
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專利保護情形

專利保護狀態
申請中
申請國
日本
專利類別
發明(TW,CN)/特許(JP)/Utility(US)
申請號
2020-214024
申請日期
2020/12/23
公告號
公告日期
1900/01/01
專利權起算日
專利權屆滿日


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