摘要
此處提供碳化矽粉體的純化方法，包括：提供容器，容器的表面鍍有除氮金屬層，且除氮金屬層係鉭、鈮、鎢、或上述之組合；將碳化矽粉體置入容器中，以接觸除氮金屬層；以及在400torr至760torr的壓力之惰性氣體下加熱碳化矽粉體到1700℃至2300℃並維持2至10小時，以減少碳化矽粉體中的氮含量。
所有人
Industrial Technology Research Institute(工業技術研究院)
所有人屬性
研究機構
技術成熟度
試量產
上架日期
2022/08/15
交易方式
技術授權,專利_讓售,專利_非專屬授權,合作開發,自行洽談,
刊登有效日期
2024/08/14
專利類別
發明(TW,CN)／特許(JP)／Utility(US)
申請號
16/729,065
申請日期
2019/12/27
公告號
11046582
公告日期
2021/06/29
專利權起算日
2021/06/29
專利權屆滿日
2040/04/02