:::首頁 技術交易市集 技術交易市集單筆檢視 字級 大 中 小 技術交易市集單筆檢視 高溫耐腐蝕之化合物半導體製程用載盤 索取更多資訊 無障礙增加內容 無障礙增加內容 電子與光電 材料化工與奈米 技術/專利摘要表 附加圖片 摘要 由於手機、車用電子與電動車滲透率逐年提升，促使5G高頻與高功率晶片需求提升，全球半導體廠多已將化合物半導體列為重點發展業務。高溫耐腐蝕之化合物半導體製程用載盤技術，是國內唯一可供CVD SiC 載盤製程，且具有高溫耐腐蝕、膜層平均厚度100±35μm、翹曲度小於500μm，技術水準同步國際，未來還可應於於化合物半導體、半導體與UVC LED等高階關鍵組件，為國內上游關鍵載盤供應鏈，提供完整之自主性與競爭力。 資料類別 技術 資料編號 S11101T0105 發明人 所有人 Industrial Technology Research Institute(工業技術研究院) 所有人屬性 研究機構 技術成熟度 試量產 上架日期 2022/01/06 交易方式 技術授權,合作開發, 刊登有效日期 2024/01/06 相關網站 您可能感興趣的技術 登入TWTM會員獲得更多資訊